硅是生產(chǎn)太陽(yáng)能電池片的主要原材料，但是晶體硅質(zhì)地非常脆，很容易破裂，而太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)工藝復(fù)雜，在生產(chǎn)過(guò)程及各個(gè)工序的互相傳送中，極易產(chǎn)生破裂或隱裂。隨著硅錠切割工藝的優(yōu)化升級(jí)，硅片將越來(lái)越薄，其對(duì)于內(nèi)部探傷的需求也將更為迫切。
太陽(yáng)能生產(chǎn)工藝中，第一道成品就是硅錠。硅錠經(jīng)線(xiàn)鋸切割后形成太陽(yáng)能硅片，而由于硅錠本身雜質(zhì)和氣泡等影響，造成產(chǎn)品質(zhì)量差，并影響設(shè)備壽命。通過(guò)紅外相機(jī)系統(tǒng)對(duì)太陽(yáng)能硅錠進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，可以提前避免以上狀況的發(fā)生，是非常有價(jià)值的機(jī)器視覺(jué)檢測(cè)應(yīng)用。在這個(gè)應(yīng)用中系統(tǒng)價(jià)值體現(xiàn)在：
1) 提升硅錠產(chǎn)品的質(zhì)量。硅錠中含有雜質(zhì)、氣泡，會(huì)對(duì)最終的硅片產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生影響。因?yàn)榧t外光對(duì)硅的穿透性比較好，波長(zhǎng)為1050 nm的紅外光可以穿透200 μm厚的硅錠，而波長(zhǎng)為1300~1500 nm的紅外光則
可以穿透任意厚度的硅錠。因此我們可以利用紅外光進(jìn)行探傷，檢測(cè)出硅錠中的孔洞和雜質(zhì)，并通過(guò)各種工藝預(yù)處理，來(lái)達(dá)到提升硅錠產(chǎn)品質(zhì)量的目的。
2) 減少對(duì)線(xiàn)鋸的損耗，降低成本。線(xiàn)鋸的價(jià)格一般都非常昂貴，在加工中，若硅錠中有孔洞的存在，會(huì)使線(xiàn)鋸的應(yīng)力突變，引起線(xiàn)鋸的振動(dòng)，加劇線(xiàn)鋸的損耗，甚至?xí)斐删€(xiàn)鋸的損毀；若硅錠中有雜質(zhì)，也會(huì)使線(xiàn)鋸的損耗加大。因此通過(guò)引入紅外探傷，我們可以降低線(xiàn)鋸的損耗，進(jìn)而達(dá)到降低成本的目的。
3) 提升硅片的產(chǎn)品質(zhì)量。在把硅錠切割為硅片的過(guò)程中，若硅錠中有雜質(zhì)，則切割出來(lái)的硅片會(huì)產(chǎn)生線(xiàn)痕，這樣的硅片是比較容易碎裂的。此外硅錠中的雜質(zhì)容易附著在切割器械上，若用這樣的切割器械進(jìn)行加工，會(huì)造成更多硅片的線(xiàn)痕，嚴(yán)重降低產(chǎn)品的質(zhì)量，而且使生產(chǎn)成本大幅度地提高。
1) 提升硅錠產(chǎn)品的質(zhì)量。硅錠中含有雜質(zhì)、氣泡，會(huì)對(duì)最終的硅片產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生影響。因?yàn)榧t外光對(duì)硅的穿透性比較好，波長(zhǎng)為1050 nm的紅外光可以穿透200 μm厚的硅錠，而波長(zhǎng)為1300~1500 nm的紅外光則
可以穿透任意厚度的硅錠。因此我們可以利用紅外光進(jìn)行探傷，檢測(cè)出硅錠中的孔洞和雜質(zhì)，并通過(guò)各種工藝預(yù)處理，來(lái)達(dá)到提升硅錠產(chǎn)品質(zhì)量的目的。
2) 減少對(duì)線(xiàn)鋸的損耗，降低成本。線(xiàn)鋸的價(jià)格一般都非常昂貴，在加工中，若硅錠中有孔洞的存在，會(huì)使線(xiàn)鋸的應(yīng)力突變，引起線(xiàn)鋸的振動(dòng)，加劇線(xiàn)鋸的損耗，甚至?xí)斐删€(xiàn)鋸的損毀；若硅錠中有雜質(zhì)，也會(huì)使線(xiàn)鋸的損耗加大。因此通過(guò)引入紅外探傷，我們可以降低線(xiàn)鋸的損耗，進(jìn)而達(dá)到降低成本的目的。
3) 提升硅片的產(chǎn)品質(zhì)量。在把硅錠切割為硅片的過(guò)程中，若硅錠中有雜質(zhì)，則切割出來(lái)的硅片會(huì)產(chǎn)生線(xiàn)痕，這樣的硅片是比較容易碎裂的。此外硅錠中的雜質(zhì)容易附著在切割器械上，若用這樣的切割器械進(jìn)行加工，會(huì)造成更多硅片的線(xiàn)痕，嚴(yán)重降低產(chǎn)品的質(zhì)量，而且使生產(chǎn)成本大幅度地提高。
